ВПЛИВ ЛЕГУВАННЯ ZN НА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ МОНОКРИСТАЛІВ TLGASE2 - МАХНОВЕЦЬ, Ганна; ДЕНИСЮК, Мар’яна; МИРОНЧУК, Галина (Фізика та освітні технології, 2021)
У роботі досліджувались спектри поглинання монокристалів TlGaSe2:Zn (5mol% ZnSe) в інтервалі температур 100-300 К. Легування змінює форму кривих енергетичних залежностей поглинання та збільшує розмиття краю смуги власного поглинання. Енергія Урбаха зростає від 59 меВ для нелегованих до 68 меВ для легованих кристалів при кімнатній температурі. Очевидно, легування створює структурні дефекти, які збільшують випадкову моду- ляцію електричного поля в кристалі, що призводить до розмиття краю смуги власного поглинання. Ширина забо- роненої зони твердих розчинів TlGaSe2:Zn для прямих і непрямих міжзонних переходів менша, ніж для чистих крис- талів, і при кімнатній температурі має значення 2.08 еВ і 1,92 еВ відповідно. Найбільше зростання коефіцієнта поглинання порівняно з чистими кристалами при 100 К спостерігається в інтервалі енергій від 2,17 еВ до 2,21 еВ. Ймовірно, у цій області лежать енергетичні рівні дефектів, пов’язаних з атомами Zn. Різка зміна коефіцієнта поглинання також може свідчити про наближення до температури фазового переходу зі співмірної сегнетоелек- тричної у неспівмірну фазу,оскільки в чистих і легованих кристалах ці температури, як правило, не збігаються.