1.
ШИГОРІН О, НОВОСАД О, ПІСКАЧ Л. ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ ПЕРЕРІЗУ Pb4Ga4GeS12–Pb4Ga4GeSе12. Educational technology [інтернет]. 30, Грудень 2025 [цит. за 23, Січень 2026];(2):113-9. доступний у: http://journals.vnu.volyn.ua/index.php/physics/article/view/3252