ФОТОІНДУКОВАНІ ЕФЕКТИ ПЕРШОГО ПОРЯДКУ В ХАЛЬКОГЕНІДНИХ СИСТЕМАХ AG-GA(IN)-SI(GE)-S(SE)
DOI:
https://doi.org/10.32782/pet-2021-2-7Ключові слова:
напівпровідники, оптичне поглинання, фотоіндуковані ефекти, електрон-фононна взаємодіяАнотація
Для вивчення можливостей найбільш ефективного використання кристалів в оптоелектронних приладах нами проведено дослідження зміни коефіцієнта поглинання в залежності від енергії падаючої електромагнітної хвилі (фотоіндуковане поглинання). Встановлено, що під впливом мікросекундного імпульсного СО2 лазера та твердотільного лазера з довжиною хвилі 808 нм спостерігались фотоіндуковані зміни поглинання. При опроміненні лазером 808 нм фотоіндукова- ні зміни пов’язані з чистими електронними переходами, а при опроміненні СО2 лазером ці рівні збуджуються внаслідок взаємодії фононів. Подібність змін, які викликані твердотільним лазером із довжиною хвилі 808 нм та СО2 лазером свідчить про принципову роль елекрон-фононної взаємодії. Вивчення змін коефіцієнта поглинан- ня поблизу краю смуги власного поглинання при опроміненні твердотільним лазером (808 нм) показує відсут- ність незворотніх модифікацій. Це дозволяє використовувати ці матеріали для застосування в якості оптично- керованих матеріалів для видимих та ІЧ лазерів.
Посилання
Auston D.H., Glass A.M., Ballman A.A. Optical rectification by impurities in polar crystals. Phys. Rev. Lett. 1972. Vol. 28. P. 897–900.
Auston D.H., Glass A.M. Optical Generation of Intense Picosecond Electrical Pulses Appl. Phys. Lett. 1972. Vol. 2. P. 398–399.
Berkes J.S., Ing S.W., Hillegas W.J. Photodecomposition of Amorphous As2Se3 and As2S3. J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. № 12. P. 4908–4916.
De Neufville J.P., Moss S.C., Ovshinsky S.R. Photostructural transformations in amorphous As2Se3 and As2S3 films. J. Non-Cryst. Solids. 1974. Vol. 13. P. 2. P. 191–223.
Tanaka K. Evidence for reversible photostructural change in local order of amorphous As2S3 film. Solid State Commun. 1974. Vol. 15. P. 9. P. 1521–1524.
Halpern V. Localized electron states in the arsenic chalcogenides. Philos. Mag. 1976. Vol. 34. P. 331.
Vlasov V.I., Semak D.G. Relaxation of photoinduced changes of optical constants in AsSe. Ukr. J. Phys.1977. Vol. 22. P. 2053.
Malinovsky V.K., Zhdanov V.G. Local heating and photostructure transformations in chalcogenide vitreous semiconductors. J. Non-Cryst. Solids. 1982. Vol. 51. № 1. P. 31–44.
Dembovsky S.A., Chechetkina E.A. Defects and glass formation. J. Non-Cryst. Solids. 1984. Vol. 64. P. 95–111.
Frumar M., Firth A.F., Owen A.E. А model for photostructural changes in the amorphous As-S system. J. Non-Cryst. Solids. 1983. Vol. 59–60. P. 921–924.
Shpotyuk O.I., Kasperczyk J., Kityk I.V. Mechanism of reversible photoinduced optical effects in amorphous As2S3. J. Non-Cryst. Solids. 1997. Vol. 215. № 2–3. P. 218–225.
Wasylak J., Kucharski J., Kityk I.V., Sahraoui B. Photoinduced effects in the Sb2Se3–BaCl2–PbCl2 glasses. J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85. P. 425.
Al-Harbi E., Wojciechowski A., AlZayed N., Parasyuk O.V., Gondek E., Armatys P., El-Naggar A.M., Kityk I.V., Karasinski P. IR laser induced spectral kinetics of AgGaGe3Se8:Cu chalcogenide crystals. Spectrochim. Acta, Part A. 2013. Vol. 111. P. 142–149.
Dovgii Ya.O., Kityk I.V. Band structure and nonlinear optical susceptibilities of proustite (Ag3AsS3). Phys. Status Solidi B. 1991. Vol. 166. P. 395–402.
Xue B., Nazabal V., Piasecki M., Calvez L., Wojciechowski A., Rakus P., Czaja P., Kityk I.V. Photo-induced effects in GeS2 glass and glass–ceramics stimulated by green and IR lasers. Mater. Lett. 2012. Vol. 73. P. 14–16.
