ВСТАНОВЛЕННЯ ВПЛИВУ КАТІОННОГО ЗАМІЩЕННЯ НА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ ГРУПИ AIIIBIIIC2 VI
DOI:
https://doi.org/10.32782/pet-2021-2-4Ключові слова:
ширина забороненої зони, фотопровідність, енергія активації, кінетика фотопровідностіАнотація
У роботі встановлено низьку гігроскопічність поверхонь кристалі в (TlInSe2)1-x(GeSe2)x (х=0,1; 0,2). Усі кристали є непрямозонними напівпровідниками. Дослідження оптичних спектрів поглинання показало три облас- ті спектральної залежності коефіцієнта поглинання. Оцінено оптичну ширину забороненої зони в діапазоні 100÷300 К для різного компонентного складу. Досліджувані кристали є фоточутливими матеріалами.
Посилання
Godzhaev E.M., Allakhyarov E.A., Khalilova Kh.S., Suleimanova A.M. Transport Properties of TlInSe2 {Ln } (Ln = Eu, Sm, Yb). Inorg. Mater. 2003. Vol. 39. № 7. P. 676–679.
Davydyuk G.E., Piasecki M., Parasyuk O.V. [et al.] Two-Photon Absorption of Tl1_xIn1_xSnxSe2 (x = 0, 0.1, 0.2, 0.25) Single Crystalline Alloys and Their Nanocrystallites. Opt. Mater. 2013. Vol. 35. № 12. P. 2514–2518.
Piasecki1 M., Myronchuk G.L., Zamurueva O.V., Khyzhun O.Y., Parasyuk O.V., Fedorchuk A.O., Albassam A., El-Naggar A.M. and Kityk I.V. Huge Operation by Energy Gap of Novel Narrow Band Gap Tl1-xIn1-xBxSe2 (B = Si, Ge): DFT, X-ray emission and photoconductivity studies. Mater. Res. Express. 2016. Vol. 3. № 2. P. 025902.
Шелег А.У., Иодковская К.В., Курилович Н.Ф. Влияние gamma-облучения на диэлектрическую проницаемость и элекропроводность кристаллов TlGaS2. Физика твердого тела. 2003. Т. 45. № 1. С. 68–70.
Боровой Н.А., Гололобов Ю.П., Горб А.Н., Исаенко Г. О сегнетоэлектрическом фазовом переходе в политипах кристаллов beta-TlInS2. Физика твердого тела. 2008. Т. 50. № 10. С. 1866–1870.
Orudzhev G., Mamedov N., Uchiki H. [et al.] Band Structure and Optical Functions of Ternary Chain TlInSe2. J. Phys. Chem. Solids. 2003. Vol. 64. № 9. P. 1703–1706.
Абдуллаев Ф.Н., Керимова Т.Г., Абдуллаев Н.А. Анизотропия проводимости и локализации носителей заряда в монокристаллах TlInTe2. Физика твердого тела. 2005. Т. 47. № 7. С. 1180–1183.
Сардарлы Р.М., Самедов О.А., Абдуллаев А.П. [и др.] Суперионная проводимость, эффекты переключения и памяти в кристаллах TlInSe2 и TlInTe2. Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. № 11. С. 1441–1445.
Мадатов Р.С. [и др.] Механизм токопрохождения в монокристаллах tlinse 2 при сильных электрических полях. Электронная обработка материалов. 2010. № 5(265). С. 115–119.
Годжаев Э.М., Оруджев Г.С., Кафарова Д.М. Зонная структура и диэлектрическая проницаемость соединения TlGaTe2. Физика твердого тела. 2004. Т. 46. № 5. С. 811–813.
Duman S., Gurbulak B. Urbach Tail and Optical Absorption in Layered Semiconductor TlGaSe2(1-x)S2x Single Crystals. Phys. Scr. 2005. Vol. 72. № 1. P. 79–88.
Grigas J., Talik E., Adamiec M. [et al.] XPS and Electronic Structure of TlInSe2 Crystals. Lith. J. Phys. 2007. Vol. 47. № 1. P. 87–95.
Samedov S.R., Baykan O., Gulubayov A. Energy Spectra of the Local States in the Forbidden Gap of Monoclinic TlInS2xSe2(1−x) Crystals. Int. J. Infrared Millimeter Waves. 2004. Vol. 25. № 5. P. 735–747.
Khyzhun O.Y., Bekenev V.L., Atuchin V.V. [et al.] Electronic Properties of ZnWO4 Based on ab initio FP-LAPW Band-Structure Calculations and X-ray Spectroscopy Data. Mater. Chem. Phys. 2013. Vol. 140. № 2–3. P. 588–595.
Бахышов А.Э., Лебедев А.А., Халафов З.Д., Якобсон М.А. Зависимость оптических и фотоэлектрических свойств от состава твердых растворов TlGaSxSe2-x. Физика и техника полупроводников. 1978. Т. 12. № 3. С. 580–585.
Grivickas V., Bikbajevas V., Grivickas P. Indirect Absorption Edge of TlGaSe2 Crystals. Phys. Status Solidi B. 2006. Vol. 243. № 5. P. R31–R33.
Karabulut O., Parlak M., Mamedov G.M. Structural and Electrical Properties of TlGa(SxSe1−x)2 Mixed Crystals. J. Alloys Compd. 2007. Vol. 429. № 1–2. P. 50–55.
Kashida S., Yanadori Y., Otaki Y. [et al.] Electronic Structure of Ternary Thallium Chalcogenide Compounds. Phys. Status Solidi A. 2006. Vol. 203. № 11. P. 2666–2669.
Керимова Э.М., Мустафаева С.Н., Керимов Р.Н., Гаджиева Г.А. Фото- и рентгенопроводимость твердых растворов (TlGaS2)1-x(TlInSe2)x. Неорган. Матер. 1999. Т. 35. № 11. С. 1313–1314.
Кітик І.В., Мирончук Г.Л., Замуруєва О.В., Парасюк О.В., Мартинюк О.С. Дослідження спектрального розподілу коефіцієнта поглинання монокристалу Tl1-xIn1-xGexSe2 (x=0,1; 0,2). Наук. вісн. Східноєвроп. нац. ун-ту ім. Лесі Українки. Сер. Фіз. науки. 2015. № 10(311). С. 27–33.
Abdinbekov S.S., Guseinov G.D. Physico-Chemical Investigation of TlInSe2–TlGaTe2. Bulletin de la Societe Chemique de France. 1986. № 3. P. 355–357.
Zamurueva O.V., Myronchuk G.L., Lakshminarayana G., Parasyuk O.V., Piskach L.V., Fedorchuk A.O., AlZayed N.S., El-Naggar A.M., Kityk I.V. Structural and Optical Features of Novel Tl1-xIn1-xGexSe2 Chalcogenide Crystals. Opt. Mater. 2014. Vol. 37. P. 614–620.
Myronchuk G.L., Zamurueva O.V., Oźga K. [et al.] Photoinduced Optical Properties of Tl1-xIn1-xSixSe2 Single Crystals. Arch. Metall. Mater. 2015. Vol. 60. № 2. P. 1051–1055.
Myronchuk G.L., Zamurueva O.V., Parasyuk O.V. [et al.] Structural and Optical Properties of Novel Optoelectronic Tl1-xIn1-xSixSe2 Single Crystals. J. Mater. Sci. – Mater. Electron. 2014. Vol. 25. № 7. P. 3226–3232.
Zamurueva O.V., Myronchuk G.L., Oźga K. [et al.] Transport Phenomena in Single Crystals Tl1-xIn1-xGexSe2 (x=0.1, 0.2). Arch. Metall. Mater. 2015. Vol. 60. № 3. P. 2025–2028.
Godzhaev E.M., Allakhyarov E.A., Khalilova Kh.S., Suleimanova A.M. Transport Properties of TlInSe2 {Ln } (Ln = Eu, Sm, Yb). Inorg. Mater. 2003. Vol. 39. № 7. P. 676–679.
Мотт Н. Электроны в неупорядоченных структурах. М. : Мир, 1969. 172 с.
Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М. : Мир, 1973. 456 с.
Панкратов О.А., Волков Б.А., Осипов В.В. Перестройка дефектов и долговременные релаксации неравновесных носителей в узкозонных полупроводниках. Физика и техника полупроводников. 1980. Т. 14. № 7. С. 1387–1389.
