ОБЛАСТІ СКЛОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНІ ПАРАМЕТРИ СТЕКОЛ У СИСТЕМАХ Ag2Se–Zn(Cd,Hg)Se–GeSe2
DOI:
https://doi.org/10.32782/pcsd-2021-2-4Ключові слова:
халькогенідні стекла, квазіпотрійні системи, характеристичні температуриАнотація
Методом рентгенофазового аналізу встановлено області склоутворення у квазіпотрійних системах Ag2Se–(Zn, Cd, Hg)Se–GeSe2. Максмимальний вміст модифікаторa ZnSe, який вдалося ввести при збереженні скло- подібного стану, становить 10 мол.%, а відповідних показник для CdSe складає 12 мол.%. Найбільша область існу- вання скла є у меркурій-вмісній системі, де вона перетинає весь концентраційний трикутник. Мінімальний вміст склоутворювача GeSe2 складає 43 мол.%. Термічні властивості стекол охарактеризовано температурами склуван- ня, кристалізації та плавлення закристалізованого сплаву. Для стекол меркурій-вмісної системи показана залеж- ність термічних параметрів від полів первинної та вторинної кристалізації відповідних рівноважних складів.
Посилання
Виноградова Г.С. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. Мoсква : Наука, 1984. 238 с.
Abe K., Takebe H., Morinaga K. Preparation and properties of Ge–Ga–S glasses for laser hosts. J. Non-Cryst. Solids. 1997. № 212. P. 143-150.
Vlassov Yu.G., Legin A.V., Rudnitskaya A.M. Electronic tongues: new analytical perspective for chemical sensors. J. Anal. Chem. 1997. № 528. P. 758-762.
Parasyuk O.V., Olekseyuk I.D., Piskach L.V., Romanyuk Ya.E. Phase equilibria in the quasiternary systems AI
X–BIIX–CIVX2 (AI–Cu, Ag; BII–Zn, Cd, Hg; CIV–Si, Ge, Sn; X–S, Se, Te), 6th Int'l Conf. "Phase Diagrams in Materials Science", Abstract, Kyiv, 2001, p.40.
Quenez P., Gorochov O. Preparation et proprietes de monocristaux de Cd4GeSe6. J. Crystal Growth. 1974. № 26. P. 55-58.
Moтря С.Ф., Ворошилов Ю.В., Пoтoрий M.В., Сeмрaд E.E. Фазовые равновесия в системах Ge(Sn)Se2–HgSe. Укр. Хим. Журн. 1986. № 52. C. 807-809.
O.V. Parasyuk, L.D. Gulay, Ya.E. Romanyuk, I.D. Olekseyuk, L.V. Piskach. The Ag2Se–HgSe–GeSe2 system and crystal structures of the compounds. J. Alloys Comp. 2003. № 351. P. 135-144.
H. Haueseler, M. Himmrich. Die Kristallstructur von silbergermaniumselenid Ag2HgGeSe4. Z. Naturforsch. B. 1989. № 44. P. 1035-1037.
I.D. Olekseyuk, V.V. Bozhko, O.V. Parasyuk, V.V. Galyan, I.I. Petrus`, Glass formation and Properties of Glasses of the Quasi-ternary Zn(Cd,Hg)Se–Ga2Se3–SnSe2 System. Functional Materials. 1999. № 6. P. 550-554.
Галян В.В. Вплив модифікаторів (HgSe, Cu2Se) на фізичні властивості склоподібного диселеніду германію : автореф. дис. … канд. фіз.-мат. наук., Волинський держ. ун-т, Луцьк, 2003. 21 с.
Robinel E., Kone A., Duclot M.J., Souquet J.L. Silver sulfide based glasses (II). Electrochemical properties of GeS2–Ag2S–AgI glasses: transference number measurement and redox stability range. J. Non-Cryst. Solids. 1983. № 57. P. 59.
Ivanova Z.G., Vassilev V.S., Boycheva S.V., Kirov N. Topological transition and rigidity percolation in Ge–Se(S)–Cd glasses. J. Non-Cryst. Solids. 1998. № 232/234. P. 274-277.
Олексеюк I.Д., Парасюк O.В., Божко В.В., Галян В.В., Петрусь I.I. Склоутворення в квазіпотрійних системах (Zn, Cd, Hg)Se–Ga2Se3–GeSe2. Наукові записки Рівненського педінституту. 1997. № 3. С. 148-152.
Горгут Г.П. Фазові рівноваги і властивості проміжних фаз у системах Ag2X – Ga2X3 – GeX2 (X – S, Se) : автореф. дис. … канд. хім. наук. Львівський нац. ун-т. Львів, 2002. 20 с.
Штец П.П, Губин В.M., Биланич В.С., Якимчук M.Н., Туряниця I.Д. Получение и свойства сложных полупроводников. Kиїв: УМК ВО, 1991. 132 с.
Kauzmann W. The Nature of the Glassy State and the Behavior of Liquids at Low Temperatures. Chem. Rev. 1948. № 13. P. 219–256.
