СИНТЕЗ ТА СТРУКТУРНА ГОМОГЕННІСТЬ ПІРАРГІРИТУ

Автор(и)

DOI:

https://doi.org/10.32782/pcsd-2023-3-4

Ключові слова:

ріст кристалів, кристалічна структура, сульфіди, елементарна комірка

Анотація

Робота присвячена вивченню особливостей отримання монокристалів сполуки Ag3SbS3 (аналог природнього мінералу піраргіриту), що є перспективним матеріалом для нелінійної оптики, сенсорних технологій та оптоелектроніки. Монокристал сполуки Ag3SbS3 вирощували методом Бріджмена-Стокбаргера у вертикальній двозонній печі опору з програмованим управлінням регулювання температури. Температура зони розплаву складала 783 К, зони відпалу – 663 К. Ріст кристалу відбувався з швидкістю 0,10–0,24 мм/год; градієнт температури у зоні росту складав 4-6 К/мм. Для синтезу використовували попередньо очищену кварцеву ампулу із шихтою, що була вакуумована до залишкового тиску 10–2 Па. Для отримання монокристалу Ag3SbS3 використовували прості речовини (срібло, стибій та сірку) напівпровідникової чистоти. З метою встановлення фазового складу та розрахунку кристалічної структури, для взірця вирощеного монокристалу отримували дифрактограму на рентґенівському апараті ДРОН 4-13 (CuKα-випромінювання; діапазон зйомки 10≤2Θ≤80°; крок зйомки 0,02°; час відліку в точці 15°с). Кристалічну структуру розраховували методом Рітвельда. Для проведення розрахунків використовували пакет програм WinCSD. Кристалічна структура отриманого монокристалу сполуки Ag3SbS3 належить до тригональної сингонії (cтруктурний тип Ag3AsS3 (прустит); просторова група R3c; cимвол Пірсона hR14,161). Розраховані параметри елементарної комірки становлять: a = 1,10402(9) нм, b = 0,8713(1) нм, V = 0,9197(3) нм3. У структурі Ag3SbS3 атоми Ag та S локалізовані в ПСТ 18b, а атоми Sb – в ПСТ 6а. Дослідження кількісного та якісного складу зразків вирощеного монокристалу досліджуваної сполуки проводили методами енергодисперсійної спектроскопії (EDS) та енергодисперсійної рентгенівської спектроскопії (EDX) (скануючий електронний мікроскоп Tescan Vega 3 LMU (SEM)). SЕМ-зображення та результати енергодисперсійного рентгенівського аналізу отримано при напрузі 20–25 кВ в умовах високого вакууму (9,0⋅10-2 Па).

Посилання

Abbas, Z., Fatima K., Gorczyca, I., Irfan, M. Alotaibi, N. Alshahrani, T., Raza, H. H., Muhammad S. Proposition of new stable rare-earth ternary semiconductor sulfides of type LaTlS2 (La = Er, Eu, Tb): Ab-initio study and prospects for optoelectronic, spintronic and thermoelectric applications. Mater. Sci. Semicond. Process. 2022, 146, 106662. doi: 10.1016/j.mssp.2022.106662

Andriyevsky, B., Kashuba, A. I., Kunyo I. M., Dorywalski, K., Semkiv, I. V., Karpa, I. V., Stakhura, V. B., Andriyevska, L., Piekarski, J., Piasecki, M. Electronic вands and dielectric functions of In0,5Tl0,5I solid state solution with structural defects. J. Electron. Mater. 2019, 48, 5586-5594. doi: 10.1007/s11664-019-07404-2

Alhebshi, A., Sharaf Aldeen, E., Mim, R. S., Tahir B., Tahir, M. Recent advances in constructing heterojunctions of binary semiconductor photocatalysts for visible light responsive CO2 reduction to energy efficient fuels: A review. Int. J. Energy Res. 2022, 46, 5523-5584. doi: 10.1002/er.7563

Petrus, R. Yu., Ilchuk, H. A., Sklyarchuk, V. M., Kashuba, A. I., Semkiv, I. V., Zmiiovska, E.O. Transformation of band energy structure of solid solutions CdMnTe. J. Nano- electron. phys. 2018, 10, 06042-1-06042-5. doi: 10.21272/jnep.10(6).06042

Gan, Y., Miao, N., Lan, P., Zhou, J., Elliott, S. R., Sun, Z. Robust design of high-performance optoelectronic chalcogenide crystals from high-throughput computation. J. Am. Chem. Soc. 2022, 144, 5878-5886. doi: 10.1021/jacs.1c12620

Liu, Y., Li, F., Huang, H., Mao, B., Liu, Y., Kang, Z. Optoelectronic and photocatalytic properties of I–III–VI QDs: Bridging between traditional and emerging new QDs, J. Semicond. 2020, 41, 091701-091713. doi: 10.1088/1674-4926/41/9/091701

Elkatlawy, S. M., El-Dosokey, A. H., Gomaa, H. M. Structural properties, linear, and non-linear optical parameters of ternary Se80Te20-xInx chalcogenide glass systems. Boletin de la Sociedad Espanola de Ceramica y Vidrio. 2022, 61, 203-209. doi: 10.1016/j.bsecv.2020.09.007

Chung, I., Kanatzidis, M. G. Metal chalcogenides: a rich source of nonlinear optical materials. Chem. Mater. 2014, 26, 849-869. doi: 10.1002/chin.201412230

Halenkovič, T., Baillieul, M., Gutwirth, J. Němec, P., Nazabal, V. Amorphous Ge – Sb – Se – Te chalcogenide films fabrication for potential environmental sensing and nonlinear photonics, J. Materiomics. 2022, 8, 1009-1019. doi: 10.1016/j.jmat.2022.02.013

Benseddik, N., Belkacemi, B., Boukabrine, F., Ameur, K., Mazari, H., Boumesjed, A., Benyahya N., Benamara, Z. Numerical study of AgInTe2 solar cells using SCAPS. Adv. Mater. Technol., 2020, 8(1), 1-9.

Fabini, D. H., Koerner, M., Seshadri, R. Candidate inorganic photovoltaic materials from electronic structure-based optical absorption and charge transport proxies. Chem. Mater. 2019, 31, 1561-1574. doi: 10.1021/acs.chemmater.8b04542

Ewen P.J.S., Taylor W. The low-temperature Raman spectra of pyrargyrite (Ag3SbS3). Solid Stat. Comm. 1983, 45(3), 227-230. doi: 10.1016/0038-1098(83)90469-6

Gusain, M., Rawat, P., Nagarajan, R. Soft chemical synthesis of Ag3SbS3 with efficient and recyclable visible light photocatalytic properties. Mat. Res. Bull. 2014, 60, 872-875. doi: 10.1016/j.materresbull.2014.09.084

Govindaraj, P., Murugan, K., Veluswamy, P., Salleh, F., Venugopal, K. Efficacy of pyrostilpnite (Ag3SbS3) mineral as thermoelectric material: a first principles study. Mater. Sci. Semicond. Process. 2023, 162, 107513. doi: 10.1016/j.mssp.2023.107513

Akselrud, L., Grin, Yu. WinCSD: software package for crystallographic calculations (Version 4). J. Appl. Cryst. 2014, 47, 803-805. doi: 10.1107/S1600576714001058

##submission.downloads##

Опубліковано

2023-12-26

Як цитувати

КОХАН, О., РУДИШ, М., СМІТЮХ, О., & МАРЧУК, О. (2023). СИНТЕЗ ТА СТРУКТУРНА ГОМОГЕННІСТЬ ПІРАРГІРИТУ. Проблеми хімії та сталого розвитку, (3), 26–31. https://doi.org/10.32782/pcsd-2023-3-4

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають